[发明专利]深硅刻蚀设备及其组装方法在审
| 申请号： | 202210152759.6 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN116666253A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘国峰 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，设备包括：限位装置，限位装置包括一环形侧壁，环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个缺口间隔排布；深硅反应腔体，限位装置套设于深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁，法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接，限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上，以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上。本发明可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生，降低备件消耗，降低生产成本，同时可简化安装，提高设备维护效率，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 及其 组装 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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