[发明专利]深硅刻蚀设备及其组装方法

权利要求书

1.一种深硅刻蚀设备，其特征在于，所述深硅刻蚀设备包括：

限位装置，所述限位装置包括一环形侧壁，所述环形侧壁顶部设有自所述环形侧壁顶面超所述环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个所述缺口间隔排布；

深硅反应腔体，所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；

法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；

固定胶片，粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上。

2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的缺口宽度介于30毫米～60毫米之间，所述缺口的下边缘与所述限位装置的底缘的距离介于4毫米～6毫米之间。

3.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的环形侧壁的高度介于10毫米～15毫米之间。

4.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的内径与所述深硅反应腔体的外径相等。

5.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述缺口的数量为3个，且3个所述缺口等距排布。

6.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的材质为聚四氟乙烯。

7.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述深硅反应腔体的材质为陶瓷。

8.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述深硅反应腔体的下缘的内壁去除了部分厚度以供所述深硅反应腔体的底座嵌入连接，所述限位装置的内壁与所述深硅反应腔体的下缘外壁贴合以加强所述下缘外壁的机械强度。

9.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述法拉第屏蔽罩贴合于所述深硅反应腔体的外壁。

10.一种如权利要求1～9任意一项所述的深硅刻蚀设备的组装方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供所述限位装置及所述深硅反应腔体，所述深硅反应腔体的下缘的内壁去除了部分厚度以供所述深硅反应腔体的底座嵌入连接，将所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；

2)提供所述法拉第屏蔽罩，将所述法拉第屏蔽罩环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；

3)提供所述固定胶片，将所述固定胶片粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上；

4)将所述深硅反应腔体放置于底座上，使所述底座嵌入所述深硅反应腔体的下缘。

11.根据权利要求10所述的深硅刻蚀设备的组装方法，其特征在于：所述法拉第屏蔽罩环绕所述深硅反应腔体的起始缘与末尾缘相接，且对位于多个所述缺口中的其中一个。