[发明专利]深硅刻蚀设备及其组装方法

说明书

本发明提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，设备包括：限位装置，限位装置包括一环形侧壁，环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个缺口间隔排布；深硅反应腔体，限位装置套设于深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁，法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接，限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上，以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上。本发明可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生，降低备件消耗，降低生产成本，同时可简化安装，提高设备维护效率，提高生产效率。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造设备领域，特别是涉及一种深硅刻蚀设备及其组装方法。

背景技术

深硅刻蚀机在半导体制造领域有着广泛应用，深硅反应腔体中一般都是陶瓷件，部分陶瓷件需先组装后再安装到反应腔体中，有些陶瓷件边缘薄且有真空密封面，组装时易造成密封边缘损坏，损坏严重时影响密封性会导致整个陶瓷件报废，而陶瓷件一般都比较贵，特别是大的陶瓷器件，如深硅刻蚀设备的陶瓷腔。深硅刻蚀设备的陶瓷腔在安装过程中，会遇到以下问题：1)深硅刻蚀设备的陶瓷反应腔体设计下边缘薄且有真空密封要求，安装时容易损坏，损坏严重时会导致制程腔体发生漏率问题或陶瓷件报废；2)安装前陶瓷反应腔体外需要安装法拉第罩，法拉第罩下边到腔体下边缘有尺寸要求(例如12毫米)，安装时高度位置需要用卡尺反复调整确认，且至少需要两人合作完成，同时位置确认好后需及时用高温胶带固定，效率偏低。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，用于解决现有技术中陶瓷反应腔体安装不便及容易损坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种深硅刻蚀设备，所述深硅刻蚀设备包括：限位装置，所述限位装置包括一环形侧壁，所述环形侧壁顶部设有自所述环形侧壁顶面超所述环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个所述缺口间隔排布；深硅反应腔体，所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上。

可选地，所述限位装置的缺口宽度介于30毫米～60毫米之间，所述缺口的下边缘与所述限位装置的底缘的距离介于4毫米～6毫米之间。

可选地，所述限位装置的环形侧壁的高度介于10毫米～15毫米之间。

可选地，所述限位装置的内径与所述深硅反应腔体的外径相等。

可选地，所述缺口的数量为3个，且3个所述缺口等距排布。

可选地，所述限位装置的材质为聚四氟乙烯。

可选地，所述深硅反应腔体的材质为陶瓷。

可选地，所述深硅反应腔体的下缘的内壁去除了部分厚度以供所述深硅反应腔体的底座嵌入连接，所述限位装置的内壁与所述深硅反应腔体的下缘外壁贴合以加强所述下缘外壁的机械强度。

可选地，所述法拉第屏蔽罩贴合于所述深硅反应腔体的外壁。