[发明专利]InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210149194.6 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114197055B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 黄立;魏国帅;刘永锋;吴佳;刘芊栾;王晓碧 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B25/18;C30B29/40;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InAs/InSb应变超晶格材料的制备方法，包括：S1，提供一衬底；S2，在所述衬底上外延生长缓冲层；S3，在所述缓冲层上外延生长若干个周期的InAs/InSb超晶格结构，每个周期的InAs/InSb超晶格结构包括InAs层和InSb层，其中，InAs层和InSb层的生长采用不同的In源炉。另外，本发明还提供基于该制备方法所获得的InAs/InSb应变超晶格材料。本发明在InAs/InSb超晶格结构的生长过程中，采用两个不同的In源炉，可以分别调整两种In源的速度，使之分别适合于InAs层和较薄的InSb层的生长模式，从而有效避免了生长InAs/InSb超晶格时三维岛状结构的形成，能显著地提高InAs/InSb超晶格结构的生产效率、降低生产成本，以及提高InAs/InSb应变超晶格材料的质量和性能。 | ||
| 搜索关键词： | inas insb 应变 晶格 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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