[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210146803.2 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115295490A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括具有第一侧及第二侧的基材。半导体元件在第一侧上包括：沿着第一横向方向延伸并且包含第一及第二子区域的主动区域，沿着第二横向方向延伸并且在主动区域上方设置的第一栅极结构，以及电性耦合至第一栅极结构的第一内连接结构。第一子及第二子区域设置在第一栅极结构的相对侧面上，其中第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体元件在第二侧上包括电性耦合至第一子及第二子区域并且用以提供电源供应器的第二内连接结构。主动区域、第一栅极结构、第一内连接结构及第二内连接结构共同配置为去耦电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
