[发明专利]一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210143112.7 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114725220A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;赵淑婷;元磊;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/267;H01L29/24;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 异质结 沟槽 功率 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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