[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210136871.0 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN115799316A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 西胁达也;可知刚;德山周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能进行高速切换的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极，设于第一电极上的第一导电型的第一半导体层，从第一半导体层的上表面向下方延伸的柱状的第一绝缘膜，设于第一绝缘膜中且沿上下方向延伸的柱状的第二电极，局部地设于第一半导体层的上层部、经由第一半导体层与第一绝缘膜相邻的第二导电型的第二半导体层，局部地设于第二半导体层的上层部的第一导电型的第三半导体层，与第一半导体层的上表面相比设于更靠上方、从上方观察时与第一绝缘膜、第一半导体层以及第二半导体层的一部分重叠的第三电极，与第三电极的上端相比设于更靠上方的第四电极，设于第三电极与第四电极、第一半导体层以及第二半导体层之间的第二绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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