[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能进行高速切换的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极，设于第一电极上的第一导电型的第一半导体层，从第一半导体层的上表面向下方延伸的柱状的第一绝缘膜，设于第一绝缘膜中且沿上下方向延伸的柱状的第二电极，局部地设于第一半导体层的上层部、经由第一半导体层与第一绝缘膜相邻的第二导电型的第二半导体层，局部地设于第二半导体层的上层部的第一导电型的第三半导体层，与第一半导体层的上表面相比设于更靠上方、从上方观察时与第一绝缘膜、第一半导体层以及第二半导体层的一部分重叠的第三电极，与第三电极的上端相比设于更靠上方的第四电极，设于第三电极与第四电极、第一半导体层以及第二半导体层之间的第二绝缘膜。

相关申请

本申请以日本专利申请2021-147906号(申请日：2021年9月10日)为基础申请，并要求其优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

以往以来，已知有具备FP(Filed Plate：场板)电极的MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)。

发明内容

本发明的一实施方式提供能够进行高速切换的半导体装置。

本发明的一实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设于所述第一电极上；柱状的第一绝缘膜，从所述第一半导体层的上表面向下方延伸；柱状的第二电极，设于所述第一绝缘膜中且沿上下方向延伸；第二导电型的第二半导体层，局部地设于所述第一半导体层的上层部，经由所述第一半导体层与所述第一绝缘膜相邻；第一导电型的第三半导体层，局部地设于所述第二半导体层的上层部；第三电极，与所述第一半导体层的所述上表面相比设于更靠上方，从上方观察时，与所述第一绝缘膜的一部分、所述第一半导体层的一部分以及所述第二半导体层的一部分重叠；第四电极，与所述第三电极的上端相比设于更靠上方，并与所述第二电极以及所述第三半导体层电连接；以及第二绝缘膜，设于所述第三电极与所述第四电极之间、所述第三电极与所述第一半导体层之间以及所述第三电极与所述第二半导体层之间。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的一部分的俯视图。

图2是图1的A-A’线上的截面图。

图3是图1的B-B’线上的截面图。

图4的(a)是图2的C-C’线上的截面图，图4的(b)是图2的D-D’线上的截面图。

图5的(a)～(d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。

图6的(a)～(d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。

图7的(a)～(d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。

图8的(a)～(d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的其他例的截面图。

图9的(a)～(d)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的其他例的截面图。

图10是表示第二实施方式的半导体装置的截面图。

图11是表示第三实施方式的半导体装置的截面图。

图12是表示第四实施方式的半导体装置的截面图。

图13是图12的E-E’线上的截面图。

图14的(a)～的(d)是表示第四实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。

图15的(a)～15(d)是表示第四实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。