[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一电极；

第一导电型的第一半导体层，设于所述第一电极上；

柱状的第一绝缘膜，从所述第一半导体层的上表面向下方延伸；

柱状的第二电极，设于所述第一绝缘膜中且沿上下方向延伸；

第二导电型的第二半导体层，局部地设于所述第一半导体层的上层部，经由所述第一半导体层与所述第一绝缘膜相邻；

第一导电型的第三半导体层，局部地设于所述第二半导体层的上层部；

第三电极，与所述第一半导体层的所述上表面相比设于更靠上方，从上方观察时，与所述第一绝缘膜的一部分、所述第一半导体层的一部分以及所述第二半导体层的一部分重叠；

第四电极，与所述第三电极的上端相比设于更靠上方，并与所述第二电极以及所述第三半导体层电连接；以及

第二绝缘膜，设于所述第三电极与所述第四电极之间、所述第三电极与所述第一半导体层之间以及所述第三电极与所述第二半导体层之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

从上方观察时，所述第三电极的外缘与所述第一绝缘膜的外缘相比位于更靠外侧，

还具备第一导电部件，该第一导电部件从所述第二电极插通所述第三电极并向所述第四电极延伸，与所述第二电极以及所述第四电极电连接，

所述第二绝缘膜还设于所述第三电极与所述第一导电部件之间。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，

还具备第二导电部件，该第二导电部件沿上下方向延伸，并与所述第三半导体层以及所述第四电极电连接。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

所述第二导电部件的下端与所述第三半导体层的下表面相比位于更靠下方。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，

从上方观察时，所述第二半导体层以及所述第三半导体层隔着所述第一半导体层将所述第一绝缘膜包围。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，还具备：

柱状的第三绝缘膜，从所述第一半导体层的所述上表面向下方延伸；

柱状的第五电极，设于所述第三绝缘膜中，并沿上下方向延伸；

第六电极，与所述第一半导体层的所述上表面相比设于更靠上方，从上方观察时，与所述第三绝缘膜的一部分、所述第一半导体层的一部分以及所述第二半导体层的一部分重叠；

第一布线部件，配置于所述第三电极与所述第六电极之间，将所述第三电极与所述第六电极电连接；以及

第四绝缘膜，设于所述第六电极与所述第四电极之间、所述第六电极与所述第一半导体层之间以及所述第六电极与所述第二半导体层之间。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，还具备：

柱状的第五绝缘膜，从所述第一半导体层的所述上表面向下方延伸；

柱状的第七电极，设于所述第五绝缘膜中，沿上下方向延伸；

第八电极，与所述第一半导体层的所述上表面相比设于更靠上方，从上方观察时，与所述第五绝缘膜的一部分、所述第一半导体层的一部分以及所述第二半导体层的一部分重叠；

第二布线部件，与所述第三电极电连接，从所述第三电极向所述半导体装置的终端区域延伸；

第三布线部件，与所述第八电极电连接，从所述第八电极向所述终端区域延伸；

第六绝缘膜，设于所述第八电极与所述第四电极之间、所述第八电极与所述第一半导体层之间以及所述第八电极与所述第二半导体层之间；以及

第四布线部件，在所述终端区域中，设于所述第二布线部件以及所述第三布线部件的上方，与所述第二布线部件以及所述第三布线部件电连接。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第二电极为上端开口的筒状，

在所述第二电极的内部存在空气层，或者，所述半导体装置还具备设于所述第二电极的内部的第七绝缘膜。