[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202210117506.5 申请日: 2022-02-08
公开(公告)号: CN114497260A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 吴科俊;陈金元 申请(专利权)人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201306 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述电池包括N型单晶硅片,其正面依次形成有第一本征非晶硅层、N型非晶硅/微晶硅层、第一透明导电膜及第一电极,其背面依次形成有第二本征非晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层、第二透明导电膜及第二电极,其中第一、第二本征非晶硅层均通过包括多个同型子工艺的本征PECVD工艺形成,N型非晶硅/微晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层分别通过各自包括多个同型子工艺的N型以及P型PECVD工艺形成,多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行,否则插入过渡工艺。本发明能保持等离子体的稳定性,能提高有效等离子体时间,又能保持工艺界面的连续性。
搜索关键词: 用于 制造 异质结 太阳能电池 方法
【主权项】:
暂无信息
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