[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池在审
| 申请号: | 202210117506.5 | 申请日: | 2022-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN114497260A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 吴科俊;陈金元 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述电池包括N型单晶硅片,其正面依次形成有第一本征非晶硅层、N型非晶硅/微晶硅层、第一透明导电膜及第一电极,其背面依次形成有第二本征非晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层、第二透明导电膜及第二电极,其中第一、第二本征非晶硅层均通过包括多个同型子工艺的本征PECVD工艺形成,N型非晶硅/微晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层分别通过各自包括多个同型子工艺的N型以及P型PECVD工艺形成,多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行,否则插入过渡工艺。本发明能保持等离子体的稳定性,能提高有效等离子体时间,又能保持工艺界面的连续性。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 异质结 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





