[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池

说明书

本发明提供用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述电池包括N型单晶硅片，其正面依次形成有第一本征非晶硅层、N型非晶硅/微晶硅层、第一透明导电膜及第一电极，其背面依次形成有第二本征非晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层、第二透明导电膜及第二电极，其中第一、第二本征非晶硅层均通过包括多个同型子工艺的本征PECVD工艺形成，N型非晶硅/微晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层分别通过各自包括多个同型子工艺的N型以及P型PECVD工艺形成，多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行，否则插入过渡工艺。本发明能保持等离子体的稳定性，能提高有效等离子体时间，又能保持工艺界面的连续性。

技术领域

本发明涉及太阳能制造领域，特别涉及用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池。

背景技术

薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了晶体硅与硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，将会逐步替代PERC(Passivated Emitterand Rear Cell)电池，成为光伏电池的主流。

异质结太阳能电池的光电转化效率现已达26％以上，高转换效率需要高质量的膜层，并需要对不同膜层进行精细化区分及设计，例如将异质结太阳能电池的本征非晶硅层、N型非晶硅、P型非晶硅层中至少一者再划分为多个工艺子膜层。如果不同工艺子膜层在不同腔体生长，不同腔体都需要独立的混气、排气或者一直流气不停的方式，将会增加设备及气体运营成本，同时不同工艺子膜层分腔体生长，也会使界面不连续，从而影响电池效率。为克服上述种种问题，会将生成不同工艺子膜层的同型PECVD工艺(本征、N型、P型)在同一腔体生长，传统的生长工艺为台阶式的，其对应的每一工艺步骤都需要独立的混气、排气，导致了工艺腔体里面的无效工艺时间延长。

因此，如何提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池，以在异质结电池生产中既保持等离子体的稳定性，提高有效等离子体时间，又保持工艺界面的连续性，已成为业内亟待解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术的上述问题，本发明提出了用于制备异质结太阳能电池的方法，包括如下步骤：

(a)、通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒及清洗；

(b)、通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正面、背面上分别形成第一本征非晶硅层以及第二本征非晶硅层；

(c)、通过N型PECVD工艺在所述第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅/微晶硅层；

(d)、通过P型PECVD工艺在所述第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅/微晶硅层；

(e)、在所述N型非晶硅/微晶硅层以及P型非晶硅/微晶硅层上分别形成第一透明导电膜以及第二透明导电膜；以及

(h)、在所述第一透明导电膜以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极；

其中所述本征PECVD工艺、所述N型PECVD工艺、所述P型PECVD工艺各自包括多个同型子工艺，所述多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行，在工艺气体种类不同或工艺气体流量增幅达到所述预定增幅时插入过渡工艺；所述过渡工艺的射频功率为0W-2000W,工艺压力为0.3mbar-2mbar，工艺气体为H₂，H₂流量为200sccm-20000sccm，工艺时间为1s-10s。

在一实施例中，所述预定增幅为1-200。