[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种用于制备异质结太阳能电池的方法，包括如下步骤：

(a)、通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒及清洗；

(b)、通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正面、背面上分别形成第一本征非晶硅层以及第二本征非晶硅层；

(c)、通过N型PECVD工艺在所述第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅/微晶硅层；

(d)、通过P型PECVD工艺在所述第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅/微晶硅层；

(e)、在所述N型非晶硅/微晶硅层以及P型非晶硅/微晶硅层上分别形成第一透明导电膜以及第二透明导电膜；以及

(h)、在所述第一透明导电膜以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极；

其中所述本征PECVD工艺、所述N型PECVD工艺、所述P型PECVD工艺各自包括多个同型子工艺，所述多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行，在工艺气体种类不同或工艺气体流量增幅达到所述预定增幅时插入过渡工艺；所述过渡工艺的射频功率为0W-2000W,工艺压力为0.3mbar-2mbar，工艺气体为H₂，H₂流量为200sccm-20000sccm，工艺时间为1s-10s。

2.根据权利要求1所述的用于制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述预定增幅为1-200；所述本征PECVD工艺包括依次进行的第一本征子工艺、第二本征子工艺、过渡工艺以及第三本征子工艺，所述第一本征子工艺的工艺气体为SiH₄，工艺压力为0.5mbar-2mbar，射频RF功率为500W-2000W，工艺时间为0.5s-10s；第二本征子工艺的工艺气体为SiH₄，工艺压力为0.3mbar-2mbar，射频RF功率为300W-2000W，工艺时间为0.5s-30s；第三本征子工艺气体为单一H₂、或者H₂与SiH₄的混合物、或者H₂与SiH₄及CO₂的混合物，工艺压力0.5mbar-2mbar，所述射频RF功率为500W-2000W，工艺时间为0.5s-50s。

3.根据权利要求1所述的用于制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述N型PECVD工艺包括依次进行的第一N型子工艺、第二N型子工艺以及第三N型子工艺；第一N型子工艺的工艺气体包括SiH₄、H₂以及PH₃，工艺压力为0.3mbar-5mbar，射频RF功率为300W-6000W，PH₃与SiH₄的气体体积比为0.5％-2％；第二N型子工艺的工艺气体包括SiH₄、H₂以及PH₃，工艺压力为0.3mbar-5mbar，射频RF功率为300W-6000W，PH₃与SiH₄的气体体积比为1％-5％；第三N型子工艺的工艺气体包括SiH₄、H₂以及PH₃，工艺压力为0.3mbar-5mbar，射频RF功率为300W-6000W，PH₃与SiH₄的气体体积比为2％-8％。