[发明专利]一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法在审
| 申请号： | 202210117237.2 | 申请日： | 2022-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN114664640A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡建华;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域。一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，包括如下步骤：步骤一，途径去离子水槽进行清洗；步骤二，途径一次清洗剂槽、二次清洗剂槽以及三次清洗剂槽清洗；步骤三，途径一次去离子水槽、二次去离子水槽、三次去离子槽以及四次去离子水槽清洗；一次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；二次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；三次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；四次去离子水槽的温度为85℃‑90℃；步骤四，一次干燥以及二次干燥。本发明通过优化去离子水槽的温度，将最后一个去离子水槽的温度进行提升后，粘片率明显降低了。硅片粘片比率从12％降低至5.6％，碎片比率从2.72％降低至1.55％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 超薄 硅片 粘片率 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
