[发明专利]一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法在审
| 申请号： | 202210117237.2 | 申请日： | 2022-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN114664640A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡建华;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 超薄 硅片 粘片率 清洗 方法 | ||
1.一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，途径去离子水槽进行清洗；
步骤二，途径一次清洗剂槽、二次清洗剂槽以及三次清洗剂槽清洗；
步骤三，途径一次去离子水槽、二次去离子水槽、三次去离子槽以及四次去离子水槽清洗；
一次去离子水槽的温度为50℃-60℃；
二次去离子水槽的温度为50℃-60℃；
三次去离子水槽的温度为50℃-60℃；
四次去离子水槽的温度为85℃-90℃；
步骤四，一次干燥以及二次干燥。
2.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：四次去离子水槽的温度为85℃。
3.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：四次去离子槽中的硅片盒倾斜设置，所述硅片盒的倾斜角度在1°-5°之间。
4.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：所述硅片盒的倾斜角度为3°。
5.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：片盒从四次去离子水槽的出水速度为20cm/s-25cm/s。
6.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：片盒从四次去离子水槽的出水速度为25cm/s。
7.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：一次清洗剂槽的清洗剂包括质量百分比分数为2％-4％的清洗剂A、质量百分比分数为1％-2％的清洗剂B，余量为去离子水，一次清洗剂槽的清洗剂的温度为50-60℃，清洗时间为180-220s；
二次清洗剂槽的清洗剂包括质量百分比分数为2％-4％的清洗剂A、质量百分比分数为1％-2％的清洗剂B，余量为去离子水，一次清洗剂槽的清洗剂的温度为50-60℃，清洗时间为180-220s；
三次清洗剂槽的清洗剂包括质量百分比分数为2％-4％的清洗剂A、质量百分比分数为1％-2％的清洗剂B、质量百分比分数为2％-5％的双氧水，余量为去离子水，一次清洗剂槽的清洗剂的温度为50-60℃，清洗时间为180-220s；
清洗剂A以及清洗剂B为双组分硅片清洗剂。
8.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：一次去离子水槽的清洗时间为180-220s；
二次去离子水槽的清洗时间为180-220s；
三次去离子水槽的清洗时间为180-220s；
四次去离子水槽的清洗时间为180-220s。
9.根据权利要求1所述的一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于：超薄硅片的厚度为120μm-130μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
