[发明专利]一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域。一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，包括如下步骤：步骤一，途径去离子水槽进行清洗；步骤二，途径一次清洗剂槽、二次清洗剂槽以及三次清洗剂槽清洗；步骤三，途径一次去离子水槽、二次去离子水槽、三次去离子槽以及四次去离子水槽清洗；一次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；二次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；三次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；四次去离子水槽的温度为85℃‑90℃；步骤四，一次干燥以及二次干燥。本发明通过优化去离子水槽的温度，将最后一个去离子水槽的温度进行提升后，粘片率明显降低了。硅片粘片比率从12％降低至5.6％，碎片比率从2.72％降低至1.55％以下。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体是硅片的清洗方法。

背景技术

晶硅太阳能组件生产包括晶硅生产，铸锭/拉晶，切片，电池片生产和组件生产，由于目前太阳能硅片发电成本还较高，跟传统能源相比毫无竞争优势，所以想要发展太阳能发电行业，需要各个环节降低成本，达到光伏平价上网。其中切片环节是将硅锭切成薄片的过程，切片是通过金属丝的高速往复运动将SIC磨料带入加工区域(硅棒)进行研磨，而金刚线是通过电镀技术将金刚砂附着在钢丝上进行切割。硅片薄片化已经是大势所趋，目前行业内常规硅片厚度为180μm，少数几个厂家开始切割145μm甚至更薄的硅片，比如130μm厚度硅片以及更薄的120μm厚度硅片；

在使用现有清洗片盒，片盒的插槽间距为4.25mm，在原有清洗工艺下，由于片盒中硅片间距较小，并且由于硅片厚度变薄，硅片的韧性等指标发生变化，在清洗过程中由于表面张力的问题会出现粘片现象，影响产品良率，甚至影响正常产品制程。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，以解决以上至少一个技术问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，途径去离子水槽进行清洗；

步骤二，途径一次清洗剂槽、二次清洗剂槽以及三次清洗剂槽清洗；

步骤三，途径一次去离子水槽、二次去离子水槽、三次去离子槽以及四次去离子水槽清洗；

一次去离子水槽的温度为50-60℃；

二次去离子水槽的温度为50-60℃；

三次去离子水槽的温度为50-60℃；

四次去离子水槽的温度为85℃-90℃；

步骤四，一次干燥以及二次干燥。

本发明通过优化去离子水槽的温度，将最后一个去离子水槽的温度进行提升后，粘片率明显降低了。硅片粘片比率从12％降低至5.6％，碎片比率从2.72％降低至1.55％以下。

进一步优选地，四次去离子水槽的温度为85℃。此时的，硅片粘片比率从5.4％，碎片比率1.52％。

进一步优选地，四次去离子槽中的硅片盒倾斜设置，所述硅片盒的倾斜角度在1°-5°之间。

将四次去离子槽中的出水角度调整后，硅片粘片比率从5.6％降低至2.7％，碎片比率从1.55％降低至0.52％。

进一步优选地，所述硅片盒的倾斜角度为3°。

硅片粘片比率为2.7％，碎片比率为0.52％。

进一步优选地，片盒从四次去离子水槽的出水速度为20cm/s-25cm/s。

硅片粘片比率从2.7％降低至1.2％，碎片比率从0.52％降低至0.22％。

进一步优选地，片盒从四次去离子水槽的出水速度为25cm/s。