[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210112145.5 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114883182A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 原田辰雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于得到能够抑制饱和电流的波动的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板；第1导电型的漂移层，设置于该基板的上表面侧；第2导电型的基极层，设置于该漂移层的该上表面侧；该第1导电型的上部半导体层，设置于该基极层的上表面侧；第1电极，设置于该基板的该上表面，与该上部半导体层电连接；第2电极，设置于该基板的该背面；沟槽，从该基板的该上表面起将该上部半导体层和该基极层贯穿而延伸至该漂移层为止；以及栅极电极，设置于该沟槽的内部，该沟槽的内侧面具有第1面和设置于比该第1面更靠下方处的第2面，该第2面相对于该第1面而向该沟槽的内侧倾斜，该第1面与该第2面的交点设置于比该基极层更靠下方处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
