[发明专利]大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用在审
| 申请号： | 202210110657.8 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114561704A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 田相鑫;刘敬权 | 申请（专利权）人： | 临沂大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B28/02;C30B9/12;G01T1/202;G02F1/355 |
| 代理公司： | 天津睿勤专利代理事务所(普通合伙) 12225 | 代理人： | 孟福成 |
| 地址： | 276005 山东省临*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用，晶体生长料的预制，预先合成目标晶体的多晶，将多晶与助熔剂进行充分混合获得晶体生长料；或者不经目标晶体的多晶合成，直接将原料按照目标晶体的化学计量比进行配料，与助熔剂进行充分混合，获得晶体生长料；目标晶体的助熔剂生长，先无籽晶生长，后籽晶生长，获得目标晶体。本发明所需条件容易达到，操作简单，生长周期在20天左右可以获得30mm×30mm×2mm的大尺寸单晶，基本满足加工和物理性质表征的要求。采用的助熔剂不含高毒元素，且均可以在市场方便够得，价格低廉，生长过程中产生的废渣对环境的污染和损害较小。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 钨酸铋 晶体 熔剂 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
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