[发明专利]大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用

权利要求书

1.一种大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S1，晶体生长料的预制；

生长Bi₂WO₆、Ce：Bi₂WO₆、Bi₂Mo_xW_1-xO₆(0≤x≤0.3)、Ce：Bi₂Mo_xW_1-xO₆(0≤x≤0.3)晶体原料预制方式：预先合成目标晶体的多晶，将多晶与助熔剂进行充分混合获得晶体生长料；或者不经目标晶体的多晶合成，直接将原料按照目标晶体的化学计量比进行配料，与助熔剂进行充分混合，获得晶体生长料；

步骤S2，目标晶体的助熔剂生长，分为两步：

第一步：无籽晶生长：将盛放有晶体生长料的坩埚移到可编程控制高温熔盐炉中，加热至950℃-980℃并恒温直至原料完全熔化均匀，形成均一的单相溶液；然后降温，通过自发结晶形成晶片，继续降温使晶体厚度增加、横向尺寸增大，降温至晶体生长温度区间900-800℃，降温速率为0.1-5℃/d，生长周期为5-20天，获得籽晶；

第二步：籽晶生长：将盛放有晶体生长料的坩埚移到可编程控制高温熔盐炉中，加热至950℃-980℃并恒温直至原料完全熔化均匀，形成均一的单相溶液；然后降温，将铂丝轻触液面，观察铂丝上出现晶体的温度，确定饱和温度点；然后重复加热至950℃-980℃再次获得均一溶液，然后降温至饱和温度之后将第一步生成的籽晶轻触液面；然后缓慢降温至晶体生长温度区间900-800℃，降温速率为0.005-1℃/d，晶体生长周期为10-50天，获得目标晶体。

2.根据权利要求1所述的大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，Bi₂Mo_xW_1-xO₆、Ce：Bi₂Mo_xW_1-xO₆中x范围为0≤x≤0.3。

3.根据权利要求2所述的大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，培养Bi₂WO₆晶体、Ce：Bi₂WO₆晶体、Bi₂Mo_xW_1-xO₆晶体、Ce：Bi₂Mo_xW_1-xO₆晶体的无籽晶生长的高温熔盐炉为具有温度梯度的温场配置；培养Bi₂WO₆晶体、Ce：Bi₂WO₆晶体、Bi₂Mo_xW_1-xO₆晶体、Ce：Bi₂Mo_xW_1-xO₆晶体的籽晶生长的高温熔盐炉为具有恒温区的温场配置。