[发明专利]Nord闪存器件的制作工艺在审
| 申请号： | 202210104685.9 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114334989A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 党扬;张剑;王辉;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种Nord闪存器件的制作工艺。该工艺包括步骤：在衬底上制作由下至上依次层叠的多晶硅浮栅层、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅层；刻蚀多晶硅控制栅层，使得多晶硅控制栅层中开设形成第一窗口；依照带有第一窗口的多晶硅控制栅层的表面形貌，沉积浮栅氮化硅层；刻蚀浮栅氮化硅层，使得浮栅氮化硅层中开设形成第二窗口；依照带有第二窗口的浮栅氮化硅层的表面形貌，沉积氧化物层；刻蚀氧化物层；通过酸洗液去除位于第一窗口位置处的多晶硅间介质层，以及位于第一窗口侧壁位置处的氧化物和氮化硅，使得多晶硅控制栅层的侧表面和第一窗口位置处的多晶硅浮栅层上表面外露；制作Nord闪存器件的字线结构。 | ||
| 搜索关键词： | nord 闪存 器件 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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