[发明专利]一种超高分辨率Nano-LED发光显示阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210092018.3 申请日: 2022-01-26
公开(公告)号: CN114464641A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 周雄图;叶金宇;张永爱;吴朝兴;郭太良;孙捷;严群 申请(专利权)人: 闽都创新实验室
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 陈鼎桂;蔡学俊
地址: 350116 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列,包括采用多量子阱纳米点阵作为发光层,P接触电极通过图形化覆盖N(N≥1)个多量子阱纳米点阵;还涉及相应的制备方法,包括:依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层;采用选区离子注入法形成多量子阱点阵;继续生长P‑GaN层;使用另一种离子提高隔离区域P型GaN的电阻率,沉积导热层阵列;接着制作P接触电极阵列、N接触电极形成最后的超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列。本发明简化了制备工艺流程,可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应,极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
搜索关键词: 一种 超高 分辨率 nano led 发光 显示 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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