[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 202210086703.5 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114864593A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 武木田秀人 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11573 | 分类号: | H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11575;G11C5/02;G11C5/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供一种芯片大小不受周边电路的大小限制的存储器装置。一实施方式的存储器装置具备:第1芯片;及第2芯片,设置在所述第1芯片上,且以与所述第1芯片相接的方式贴合。所述第1芯片包含:第1周边电路,设置在第1半导体衬底上;第1存储单元阵列,设置在所述第1周边电路的上方;及第1电极,设置在所述第1存储单元阵列的上方;所述第2芯片包含:第2电极,与所述第1电极相接;第2存储单元阵列,设置在所述第2电极的上方;第2周边电路,设置在所述第2存储单元阵列的上方;第2半导体衬底,设置在所述第2周边电路的上方;及焊垫,设置在所述第2周边电路的上方,能够从存储器控制器接收指令与地址。所述第1周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址,控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意一个或者两个,所述第2周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址,控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意另一个或者两个。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的