[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于具备：

第1芯片；以及

第2芯片，设置在所述第1芯片上，并且以与所述第1芯片相接的方式贴合；

所述第1芯片包括：

第1半导体衬底；

第1周边电路，设置在所述第1半导体衬底上；

第1存储单元阵列，设置在所述第1周边电路的上方；以及

第1电极，设置在所述第1存储单元阵列的上方；

所述第2芯片包括：

第2电极，与所述第1电极相接；

第2存储单元阵列，设置在所述第2电极的上方；

第2周边电路，设置在所述第2存储单元阵列的上方；

第2半导体衬底，设置在所述第2周边电路的上方；以及

焊垫，设置在所述第2周边电路的上方，能够从存储器控制器接收指令与地址；

所述第1周边电路基于从所述焊垫输入的指令以及地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意一方或双方，并且

所述第2周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意另一方或双方。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

所述第1存储单元阵列包括：

多个第1导电体层；

第1半导体膜，沿着第1方向贯通所述多个第1导电体层；以及

第1电荷储存膜，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体膜之间；

所述第2存储单元阵列包括：

多个第2导电体层；

第2半导体膜，沿着所述第1方向贯通所述多个第2导电体层；以及

第2电荷储存膜，设置在所述多个第2导电体层与所述第2半导体膜之间；并且

所述第2半导体衬底具有第1面、以及相对于所述第1面位于与所述第1半导体衬底相反的一侧的第2面，并且

所述第1方向与所述第1面以及所述第2面的至少一个交叉。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于：

所述第1周边电路包括与所述多个第1导电体层电连接的第1行解码器，并且所述第2周边电路包括与所述多个第2导电体层电连接的第2行解码器。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于：

所述第1周边电路包括与所述多个第1导电体层电连接的第1行解码器、以及与所述多个第2导电体层电连接的第2行解码器。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于：

所述第1半导体衬底的沿着所述第1方向的厚度比所述第2半导体衬底的沿着所述第1方向的厚度厚。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

所述第2半导体衬底具有第1面、以及相对于所述第1面位于与所述第1半导体衬底相反的一侧的第2面，并且

所述焊垫设置在所述第2半导体衬底的所述第2面上。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

所述第1芯片包括：

第1周边电路芯片，包括所述第1衬底；以及

第1单元芯片，设置在所述第1周边电路芯片上，并且包括所述第1存储单元阵列以及所述第1电极。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其特征在于：

所述第2芯片包括：

第2单元芯片，设置在所述第1单元芯片上，且包含所述第2存储单元阵列以及所述第2电极；以及

第2周边电路芯片，设置在所述第2单元芯片上，且包括所述第2衬底。