[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置在审
| 申请号： | 202210072959.0 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114253090A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴华标;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 曹慧萍 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法和装置，该方法用于集成电路器件，集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括光刻胶图层的第一尺寸信息以及与有源区的第一间距；基于样本数据生成第一光罩图形，第一目标图形的图形误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。通过本方案可以对第一光罩图形进行图形优化，获得第二光罩图形，抵消有源区侧壁产生的二次曝光引起图形误差，避免出现光刻胶倒塌，同时也提高了光刻机的曝光精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 图形 优化 方法 装置 | ||
【主权项】：
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