[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置

说明书

本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法和装置，该方法用于集成电路器件，集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括光刻胶图层的第一尺寸信息以及与有源区的第一间距；基于样本数据生成第一光罩图形，第一目标图形的图形误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。通过本方案可以对第一光罩图形进行图形优化，获得第二光罩图形，抵消有源区侧壁产生的二次曝光引起图形误差，避免出现光刻胶倒塌，同时也提高了光刻机的曝光精度。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种光刻图形的优化方法及装置。

背景技术

光刻技术在集成电路(IC)制造中广泛使用，在光刻过程中，光刻机在对硅片(wafer)进行曝光时，根据实际需要的电路图形设计光罩图形，并在晶圆上涂抹光刻胶图层，进而通过曝光将光罩图形转移到晶圆上，形成对应的电路图形。

但在实际曝光过程中，由于有源区的侧壁通常会呈梯形直立，激光曝光时会出现反射和折射，因而会引起二次曝光结果会导致曝光区域内光刻胶图层尺寸变窄，或者光刻胶底部因二次曝光出现光刻胶倒塌。

现有技术中主要不仅需要通过控制有源区侧壁形状，还要对光罩图形进行多次设计和优化，以此来避免光刻胶倒塌，提高产品的良品率。

发明内容

本申请实施例提供了一种光刻图形的优化方法及装置。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种光刻图形的优化方法，所述方法用于集成电路器件，所述集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，所述浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，所述氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；所述方法包括：

获取光刻图形的样本数据，所述样本数据包括所述光刻胶图层的第一尺寸信息以及与所述有源区的第一间距；

基于所述样本数据生成第一光罩图形，所述第一光罩图形用于在所述集成电路器件上进行光刻，生成第一目标图形，所述第一目标图形的图形误差大于误差阈值，其中，所述图形误差由所述有源区的倾斜侧壁产生的二次曝光产生；

基于所述第一目标图形的所述图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，所述第二光罩图形对应的图形误差小于所述误差阈值。

具体的，所述目标图形区位于至少两个所述有源区之间，所述第一尺寸包括所述光刻胶图层的第一图层宽度，所述第一间距为所述光刻胶图层与至少两个所述有源区的距离。

具体的，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形，包括：根据所述目标图形区和少两个所述有源区的位置信息、所述光刻胶图层的所述第一图层宽度以及至少两个所述有源区与所述光刻胶图层的所述第一间距，设计所述第一光罩图形。

具体的，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形后，所述方法还包括：基于所述第一光罩图形对所述集成电路器件进行光刻，生成所述第一目标图形，并基于所述第一目标图形中所述光刻胶图层的第二图层宽度以及所述第一图层宽度计算所述图形误差。

具体的，所述基于所述第一目标图形的所述图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，包括：将所述光刻胶图层的所述第二图层宽度、所述第二图层宽度以及所述图形误差输入所述OPC校正模型，所述OPC校正模型基于历史样本数据构建得到；

以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型；

响应于所述OPC校正模型输出的所述图形误差小于所述误差阈值，输出第三图层宽度，并基于所述第三图层宽度生成所述第二光罩图形。