[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置

权利要求书

1.一种光刻图形的优化方法，其特征在于，所述方法用于集成电路器件，所述集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，所述浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，所述氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；所述方法包括：

获取光刻图形的样本数据，所述样本数据包括所述光刻胶图层的第一尺寸信息以及与所述有源区的第一间距；

基于所述样本数据生成第一光罩图形，所述第一光罩图形用于在所述集成电路器件上进行光刻，生成第一目标图形，所述第一目标图形的图形误差大于误差阈值，其中，所述图形误差由所述有源区的倾斜侧壁产生的二次曝光产生；

基于所述第一目标图形的所述图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，所述第二光罩图形对应的图形误差小于所述误差阈值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标图形区位于至少两个所述有源区之间，所述第一尺寸包括所述光刻胶图层的第一图层宽度，所述第一间距为所述光刻胶图层与至少两个所述有源区的距离。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形，包括：

根据所述目标图形区和少两个所述有源区的位置信息、所述光刻胶图层的所述第一图层宽度以及至少两个所述有源区与所述光刻胶图层的所述第一间距，设计所述第一光罩图形。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形后，所述方法还包括：

基于所述第一光罩图形对所述集成电路器件进行光刻，生成所述第一目标图形，并基于所述第一目标图形中所述光刻胶图层的第二图层宽度以及所述第一图层宽度计算所述图形尺寸误差。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一目标图形的所述图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，包括：

将所述光刻胶图层的所述第一图层宽度、所述第二图层宽度以及所述图形误差输入所述OPC校正模型，所述OPC校正模型基于历史样本数据构建得到；

以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型；

响应于所述OPC校正模型输出的所述图形误差小于所述误差阈值，输出第三图层宽度，并基于所述第三图层宽度生成所述第二光罩图形。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型，包括：

当所述第二图层宽度小于所述第一图层宽度时，基于所述图形误差和所述误差阈值的差值确定第一距离增加值，以及第一图层宽度增加值；

基于所述第一距离增加值和所述第一图层宽度增加值，确定至少两个所述有源区与所述光刻胶图层的第二间距和第三图层宽度；

基于所述第二间距和所述第三图层宽度设计中间光罩图形，并基于所述中间光罩图形进行模拟光刻，获取中间图形误差；

继续基于所述中间图形误差进行迭代输入所述OPC校正模型。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第二图层宽度大于所述第一层宽度时，基于所述图形误差和所述误差阈值的差值确定第二距离增加值，以及第一图层宽度减小值；

基于所述第二距离增加值和所述第一图层宽度减小值，确定至少两个所述有源区与所述光刻胶图层的第三间距和所述第四图层宽度；

基于所述第三间距和所述第四图层宽度设计所述中间光罩图形，并基于所述中间光罩图形进行模拟光刻，获取所述中间图形误差。