[发明专利]键合衬底及键合方法在审
| 申请号： | 202210071206.8 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114496948A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 邢程;刘伟杰 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合衬底及键合方法。一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面。本发明可以在不改变现有芯片堆叠工艺的情况下，通过增加内部散热结构、外部散热结构、及导热结构，使得三维堆叠芯片的散热效率大幅提升，解决芯片工作温度升高、导线电阻加大导致的芯片耗电量加大和工作速度降低的问题，延长芯片使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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