[发明专利]半导体结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210059897.X | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114400253A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 查天庸 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法，其中，所述半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括位于衬底表面且依次堆叠的介电层、隔离层、金属层和多晶硅层；其中，所述隔离层的材料包括MX，M表示金属元素，X至少表示为以下其中一种：氧元素或氮元素，且MX中X元素与M元素的配比值不大于预设配比值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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