[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210059692.1 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114512404A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法包括：形成在衬底之上突出的鳍结构，其中，鳍结构包括鳍和位于鳍上面的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口穿过层堆叠件延伸至鳍中；在开口的底部中形成介电层；以及在介电层上的开口中形成源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域通过介电层与鳍分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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