[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成在衬底之上突出的鳍结构，其中，所述鳍结构包括鳍和位于所述鳍上面的层堆叠件，其中，所述层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；

在所述鳍结构上方形成伪栅极结构；

在所述伪栅极结构的相对侧上的所述鳍结构中形成开口，其中，所述开口穿过所述层堆叠件延伸至所述鳍中；

在所述开口的底部中形成介电层；以及

在所述介电层上的所述开口中形成源极/漏极区域，其中，所述源极/漏极区域通过所述介电层与所述鳍分隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极/漏极区域的面向所述衬底的底面接触所述介电层的背离所述衬底的上表面并且沿所述介电层的背离所述衬底的上表面延伸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述层堆叠件中的所述第一半导体材料接触所述鳍，其中，所述介电层的所述上表面比所述第二半导体材料的面向所述衬底的最下表面靠近所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层包括：

利用介电材料内衬所述开口的侧壁和底部；

实施注入工艺以处理所述介电材料；以及

在所述注入工艺之后，实施蚀刻工艺以去除所述介电材料的侧壁部分，其中，在所述蚀刻工艺之后，所述介电材料的底部保留并且形成所述介电层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述注入工艺之后，所述介电材料的底部中的离子种类的第一浓度高于在所述介电材料的所述侧壁部分中的所述离子种类的第二浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层包括：

在所述开口的所述底部中外延生长半导体材料；以及

实施氧化工艺以将所述半导体材料的上层转化为所述半导体材料的氧化物，其中，所述半导体材料的所述氧化物形成所述介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括；在外延生长所述半导体材料之后和实施所述氧化工艺之前：

实施注入工艺以处理所述半导体材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层包括：

利用介电材料内衬所述开口的侧壁和底部；

在所述内衬之后，在所述介电材料上的所述开口的底部中形成保护材料；以及

在形成所述保护材料之后，实施蚀刻工艺以从所述保护材料的上表面上方去除所述介电材料的上部，其中，在所述蚀刻工艺之后，所述介电材料的位于所述保护材料的所述上表面下方的下部保留以形成所述介电层。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一鳍结构上方形成第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一鳍结构包括在衬底之上突出的鳍并且包括所述鳍上方的层堆叠件，其中，所述层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述第一鳍结构中形成第一开口，其中，所述第一开口穿过所述层堆叠件延伸至鳍中；

利用内部间隔件替换所述第一半导体材料的由所述第一开口暴露的端部；

沿所述第一开口的底部形成介电层，其中，所述介电层从所述第一栅极结构下面的第一内部间隔件连续延伸至所述第二栅极结构下面的第二内部间隔件；以及

在所述介电层上的所述第一开口中形成第一源极/漏极区域。

10.一种半导体器件，包括：

鳍，在衬底之上突出；

栅极结构，位于所述鳍上方；

源极/漏极区域，位于所述栅极结构的相对侧上的所述鳍上方，其中，所述源极/漏极区域延伸至所述鳍中；

介电层，位于所述源极/漏极区域下面，其中，所述介电层设置在所述源极/漏极区域和所述鳍之间并且将所述源极/漏极区域与所述鳍分隔开；以及

沟道层，位于所述栅极结构下面和所述源极/漏极区域之间，其中，所述沟道层彼此平行，其中，所述沟道层的每个的相对端接触所述源极/漏极区域。