[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置在审
| 申请号： | 202210049336.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114512547A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 下村明久;肥塚纯一;冈崎健一;山根靖正;佐藤裕平;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/24;H01L27/12;H01L21/02;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;李啸 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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