[发明专利]沉积层的方法、沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法在审
| 申请号： | 202210042419.8 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114875383A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 金海光;匡训冲;江法伸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/40 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在半导体工件上沉积层的方法。方法包含：将半导体工件放置在处理腔室中的晶片卡盘上；将第一前体引入到处理腔室中；将第二前体引入到处理腔室中；以及当第二前体在处理腔室中时，将辐射施加到半导体工件，由此加热半导体工件的表面。方法还包含当第二前体在处理腔室中时，将偏置电压施加到晶片卡盘。本发明公开还一种沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法。本发明能够在低温下进行膜沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 系统 替换 窗口 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210042419.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
