[发明专利]沉积层的方法、沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法

说明书

本发明公开一种在半导体工件上沉积层的方法。方法包含：将半导体工件放置在处理腔室中的晶片卡盘上；将第一前体引入到处理腔室中；将第二前体引入到处理腔室中；以及当第二前体在处理腔室中时，将辐射施加到半导体工件，由此加热半导体工件的表面。方法还包含当第二前体在处理腔室中时，将偏置电压施加到晶片卡盘。本发明公开还一种沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法。本发明能够在低温下进行膜沉积。

技术领域

本文中所描述的主题涉及半导体层沉积方法，且更具体地说，涉及使用等离子和紫外工件加热的在半导体工件上沉积层的方法、沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法。

背景技术

半导体制造工艺包含许多制造步骤或工艺，所述制造步骤或工艺中的每一个有利于形成一个或多个半导体层。每一层可例如通过掺杂结晶半导体衬底的区段来形成。另外，可通过在结晶半导体衬底上添加或沉积例如导电层、电阻层和/或绝缘层来形成一个或多个层。

发明内容

本公开实施例的一种在半导体工件上沉积层的方法，所述方法包括：将所述半导体工件放置在处理腔室中的晶片卡盘上；将第一前体引入到所述处理腔室中；将第二前体引入到所述处理腔室中；当所述第二前体在所述处理腔室中时，将辐射施加到所述半导体工件，由此加热所述半导体工件的表面；以及当所述第二前体在所述处理腔室中时，将偏置电压施加到所述晶片卡盘。

本公开实施例的一种沉积系统，包括：处理腔室，包括配置成接收至少第一前体和第二前体的入口；晶片卡盘，在所述处理腔室中，其中所述晶片卡盘配置成接收且固持半导体工件；辐射源，配置成朝向所述晶片卡盘传输辐射；以及偏置元件，配置成将偏置电压施加到所述晶片卡盘。

本公开实施例的一种替换沉积系统的窗口的方法，其中所述窗口配置成将辐射从辐射源传输到晶片卡盘，所述晶片卡盘配置成将半导体工件固持在处理腔室内，所述方法包括：利用泵减小所述处理腔室的压力；以及在所述泵维持所述处理腔室的减小的所述压力的同时利用机器人机构替换所述窗口。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的具有沉积层的衬底的横截面视图。

图2示出根据一些实施例的沉积系统的框图。

图3到图6绘示根据一些实施例的示出沉积系统的示例性操作的时序图。

图7A到图7D示出根据一些实施例的在自动替换辐射透明窗口的过程中的各个阶段处的沉积系统。

图8为示出在半导体工件上沉积层的方法的流程图。

在实际中，类似的参考标记表示类似的结构、特征或元件。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的多个不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例来简化本公开。当然，这些仅为实例且并不意图为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考标记和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了易于描述，可在本文中使用例如“在……之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相关术语来描述如图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的定向以外，空间相关术语意图涵盖器件在使用或操作中的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解译。