[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210029959.2 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114765155A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：栅极结构，在衬底上包括栅电极；源极/漏极图案，在衬底上设置在栅电极的侧表面上；第一层间绝缘层，在栅极结构上；第一通路插塞，设置在第一层间绝缘层中并连接到源极/漏极图案；蚀刻停止结构层，在第一层间绝缘层上包括依次堆叠的第一至第三蚀刻停止层，使得第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层和第三蚀刻停止层之间；第二层间绝缘层，在蚀刻停止结构层上接触蚀刻停止结构层，使得蚀刻停止结构层在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间；以及布线线路，设置在第二层间绝缘层中并接触第一通路插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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