[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，在衬底上包括栅电极；

源极/漏极图案，在所述衬底上设置在所述栅电极的侧表面上；

第一层间绝缘层，在所述栅极结构上；

第一通路插塞，设置在所述第一层间绝缘层中并连接到所述源极/漏极图案；

蚀刻停止结构层，在所述第一层间绝缘层上包括依次堆叠的第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和第三蚀刻停止层，使得所述第二蚀刻停止层在所述第一蚀刻停止层和所述第三蚀刻停止层之间；

第二层间绝缘层，在所述蚀刻停止结构层上接触所述蚀刻停止结构层，使得所述蚀刻停止结构层在所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层之间；以及

布线线路，设置在所述第二层间绝缘层中并接触所述第一通路插塞，

其中所述第一蚀刻停止层接触所述第一层间绝缘层的顶表面，以及

其中所述第三蚀刻停止层是连续形成的层，其包括沿着所述第一层间绝缘层的所述顶表面延伸的第一水平部分和从所述第三蚀刻停止层的所述第一水平部分在所述衬底的厚度方向上突出的第一垂直部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路插塞包括从所述第一层间绝缘层的所述顶表面突出的突起，以及

所述第一通路插塞的所述突起接触所述第一蚀刻停止层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三蚀刻停止层的所述第一水平部分的顶表面高于所述第一通路插塞的顶表面。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一蚀刻停止层是连续形成的层，其包括沿着所述第一层间绝缘层的所述顶表面延伸的第二水平部分和从所述第一蚀刻停止层的所述第二水平部分在所述衬底的所述厚度方向上突出的第二垂直部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一蚀刻停止层和所述第三蚀刻停止层各自包括金属氧化物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三蚀刻停止层接触所述第二层间绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极接触，连接到所述栅电极；以及

第二通路插塞，设置在所述第一层间绝缘层中并连接到所述栅极接触，

其中所述第一通路插塞具有单导电层结构，以及

所述第二通路插塞具有导电的多层结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二通路插塞包括插塞导电层和沿着所述插塞导电层的侧壁和底表面延伸的阻挡导电层，以及

所述插塞导电层包括与所述第一通路插塞相同的材料。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二通路插塞包括从所述第一层间绝缘层的所述顶表面突出的突起，以及

所述第一蚀刻停止层接触所述第二通路插塞的所述突起。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通路插塞的顶表面在远离所述衬底的顶表面的方向上凸起。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述布线线路包括与所述第一通路插塞的顶表面垂直重叠的第一部分和不与所述第一通路插塞的所述顶表面垂直重叠的第二部分，以及

所述布线线路的所述第二部分的底表面低于所述第一通路插塞的所述顶表面，并接触所述第一层间绝缘层。