[发明专利]均衡电路结构及其制造方法、感测放大及存储电路结构在审
| 申请号： | 202210022775.3 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114373734A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵阳;车载龙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;G11C7/12;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种均衡电路结构及其制造方法、感测放大电路结构及存储电路结构。其中，均衡电路结构，包括：半导体衬底，包括均衡有源区；栅极层，包括栅极图形以及电源线，栅极图形位于均衡有源区上，用于与均衡有源区形成晶体管单元，电源线电连接均衡有源区与外部电源，用于为晶体管单元提供电源。本申请实施例可以有效降低走线层工艺制作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 均衡 电路 结构 及其 制造 方法 放大 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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