[发明专利]采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2

摘要

本发明涉及一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备低温脉冲层(2)；在所述低温脉冲层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入低温脉冲层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延层质量，降低了外延层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。