[发明专利]一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法在审
| 申请号： | 202210007331.2 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114361023A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张超逸;吴建荣 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法。所述去除研磨残留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于导电层；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。通过本公开的实施例提供的方法，可以去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准精确，不影响半导体的后续制程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 研磨 残留物 方法 对准 标记 形成 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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