[发明专利]一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法

说明书

本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法。所述去除研磨残留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于导电层；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。通过本公开的实施例提供的方法，可以去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准精确，不影响半导体的后续制程。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除研磨残留物的方法以及对准标记的形成方法。

背景技术

在半导体工艺中，经常需要对形成的膜层进行研磨，比如采用CMP工艺进行研磨，但是研磨后的残留物难以去除。

具体地，在对准标记的形成中，由于形成的沟槽较深，而研磨过程中会形成很多残留杂质，形成缺陷。并且研磨残留杂质会进入对准标记沟槽，常规的研磨后清洗通常不能完全洗净杂质，将会影响后续光刻的对准。

发明内容

本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法，去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准准确，不影响半导体的后续制程。

本公开的实施例所述的一种去除研磨残留物的方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述导电层厚度；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。

在一些实施例中，所述导电层为金属，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。

在一些实施例中，所述导电层为钨，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为

在一些实施例中，所述氧化物包括氧化硅。

在一些实施例中，所述导电层为钨，所述反应层由氮化物组成，所述氮化物厚度为

在一些实施例中，所述氮化物包括氮化硅。

在一些实施例中，所述去除研磨残留物的方法，还包括：在形成所述导电层之前，在所述介质层表面形成黏附层，所述黏附层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁。

在一些实施例中，所述对所述介质层和所述沟槽进行清洗包括：第一清洗，以便去除研磨残留物以及全部反应层；以及第二清洗，以便去除第一清洗的残留。

在一些实施例中，所述反应层由氧化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为0.9％～1.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为25s～35s。

在一些实施例中，所述反应层由氮化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为8.9％～9.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为8s～10s。

在一些实施例中，所述第二清洗通过超声波和去离子水对所述介质层和所述沟槽进行冲洗，所述第二清洗使用的超声设备的主机转速为1200rpm～1500rpm，所述第二清洗时间为90s～110s。

本公开的实施例还提供一种对准标记的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述第一金属层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述第一金属层厚度；对所述第一金属层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层，暴露出所述沟槽的底部和内侧壁的第一金属层；在所述沟槽底部和内侧壁的第一金属层上形成第二金属层。