[发明专利]一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法

权利要求书

1.一种去除研磨残留物的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；

在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；

在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述导电层厚度；

对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；

对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。

2.根据权利要求1所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为金属，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。

3.根据权利要求2所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为钨，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为

4.根据权利要求3所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述氧化物包括氧化硅。

5.根据权利要求2所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为钨，所述反应层由氮化物组成，所述氮化物厚度为

6.根据权利要求5所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。

7.根据权利要求1所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，还包括：在形成所述导电层之前，在所述介质层表面形成黏附层，所述黏附层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁。

8.根据权利要求1-7任一项所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述对所述介质层和所述沟槽进行清洗包括：

第一清洗，以便去除研磨残留物以及全部反应层；以及

第二清洗，以便去除第一清洗的残留。

9.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述反应层由氧化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为0.9％～1.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为25s～35s。

10.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述反应层由氮化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为8.9％～9.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为8s～10s。

11.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述第二清洗通过超声波和去离子水对所述介质层和所述沟槽进行冲洗，所述第二清洗使用的超声设备的主机转速为1200rpm～1500rpm，所述第二清洗时间为90s～110s。

12.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；

在所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；

在所述第一金属层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述第一金属层厚度；

对所述第一金属层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；

对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层，暴露出所述沟槽的底部和内侧壁的第一金属层；

在所述沟槽底部和内侧壁的第一金属层上形成第二金属层。

13.根据权利要求12所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。

14.根据权利要求13所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为

15.根据权利要求14所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一金属层由钨组成，所述氧化物包括氧化硅。