[发明专利]用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构在审
| 申请号： | 202180054587.2 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN116018888A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 横山雄一 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中描述用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构的系统、方法和设备。一个存储器装置包含竖直堆叠存储器单元的阵列，所述阵列包含水平定向导线的竖直堆叠。每一导线包括在第一水平方向上延伸的第一部分和在第二水平方向上延伸的第二部分，其中每一导线的所述第二部分具有比每一导线的所述第一部分大的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 加宽 导线 结构 阶梯 | ||
【主权项】：
暂无信息
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