[发明专利]用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构

权利要求书

1.一种用于在竖直堆叠存储器单元的阵列内形成加宽导线的方法，其包括：

形成多个层，所述层包含具有形成于其中的一或多个水平导线的一或多个第一介电材料层和在所述一或多个第一介电材料层下方的第二介电材料层；

形成第一数目个竖直开口，每一竖直开口与所述一或多个第一介电材料层中的至少一者相交；

通过经由所述第一数目个竖直开口去除所述一或多个第一介电材料层来产生一或多个水平开口；

通过将第一导电材料形成到所述第一数目个所述竖直开口中的每一者中而在所述一或多个水平开口中形成所述第一导电材料的多个水平层；

从所述第一数目个竖直开口中的每一者去除所述第一导电材料的一部分；

将第三介电材料形成到所述第一数目个竖直开口中的每一者中；

形成第二数目个竖直开口，其中所述第二数目个竖直开口中的每一竖直开口允许与所述第一导电材料的所述多个水平层中的一者接触；及

将第二导电材料形成到所述第二数目个竖直开口中的每一者中以形成到所述第一导电材料的多个导电接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个层中的每一者具有比上方层的长度大的长度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述第一导电材料的所述部分包含在所述第一数目个竖直开口中的每一竖直开口中暴露竖直侧壁。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述第二数目个竖直开口中的每一者水平地邻近于所述第一数目个竖直开口中的两个竖直开口。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其进一步包括形成所述第二数目个竖直开口，使得所述第二数目个竖直开口中的每一者允许与所述第一导电材料的所述数个层中的唯一层接触。

6.一种用于在竖直堆叠存储器单元的阵列内形成加宽导线的方法，其包括：

形成多个层，所述层包含具有形成于其中的两个或更多个水平导线的一或多个第一介电材料层和在所述一或多个第一介电材料层下方的第二介电材料层；

形成第一数目个竖直开口，每一竖直开口与所述一或多个第一介电材料层中的至少一者相交；

通过经由所述第一数目个竖直开口去除所述第一介电材料的一部分而形成一或多个水平开口；

通过将第一导电材料形成到所述第一数目个所述竖直开口中的每一者中而在所述一或多个水平开口中形成所述第一导电材料的多个水平层；

从所述第一数目个竖直开口中的每一者去除所述第一导电材料的一部分，保持所述第一导电材料的所述水平层完好；及

将第三介电材料形成到所述第一数目个竖直开口中的每一者中以形成到所述第一导电材料的多个导电接触件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三介电材料与所述第一导电材料的额外部分接触，且其中所述第一导电材料的所述额外部分与所述两个或更多个导线中的导线接触。

8.根据权利要求6至7中任一权利要求所述的方法，其中所述两个或更多个水平导线中的每一者包括金属材料，且其中所述第一介电材料、所述第二介电材料和所述第三介电材料各自包括以下中的至少一者：

氧化物材料；及

氮化物材料。

9.一种半导体存储器装置，其包括：

竖直堆叠存储器单元的阵列，其具有：

水平定向导线的竖直堆叠，每一导线包括：

在第一水平方向上延伸的第一部分；

在第二水平方向上延伸的第二部分，其中每一导线的所述第二部分具有比每一导线的所述第一部分大的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中所述第二水平方向处于大致垂直于所述第一水平方向的角度。