[发明专利]用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构

说明书

本文中描述用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构的系统、方法和设备。一个存储器装置包含竖直堆叠存储器单元的阵列，所述阵列包含水平定向导线的竖直堆叠。每一导线包括在第一水平方向上延伸的第一部分和在第二水平方向上延伸的第二部分，其中每一导线的所述第二部分具有比每一导线的所述第一部分大的宽度。

技术领域

本公开大体上涉及存储器装置，且更明确地说，涉及用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构。

背景技术

存储器通常实施于例如计算机、蜂窝电话、手持式装置等的电子系统中。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可通过在未供电时保持所存储数据来提供持久性数据，并且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储器(例如，相变随机存取存储器)、电阻式存储器(例如，电阻式随机存取存储器)、交叉点存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)等。

随着设计规则缩减，可用于制造包括DRAM阵列的存储器的半导体空间越来越少。用于DRAM的相应存储器单元可包含具有由沟道区分离的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的存取装置(例如，晶体管)。栅极可与沟道区相对且由栅极介电质与沟道区分离。例如世界线的存取线电连接到DRAM单元的栅极。DRAM单元可包含通过存取装置耦合到导线的存储节点，例如电容器单元。存取装置可以通过耦合到存取晶体管的存取线被激活(例如，以选择单元)。电容器可存储对应于相应单元的数据值(例如逻辑“1”或“0”)的电荷。

附图说明

图1为根据本公开的多个实施例的竖直三维(3D)存储器装置的示意性说明。

图2为根据本公开的多个实施例的说明用于半导体装置的导线和阶梯式接触件的一部分的透视图。

图3为根据本公开的多个实施例的示出用于半导体装置的导线和阶梯式接触件的一部分的透视图。

图4为根据本公开的一或多个实施例的导线和阶梯式结构的俯视图。

图5为根据本公开的一或多个实施例的加宽导线和阶梯式结构的透视图。

图6为根据本公开的一或多个实施例的导线和阶梯式结构的另一俯视图。

图7为根据本公开的一或多个实施例的加宽导线和阶梯式结构的俯视图。

图8A至8D说明根据本公开的一或多个实施例的形成加宽导线和阶梯式结构的方法。

图9A至9E为根据本公开的一或多个实施例的形成加宽导线和阶梯式结构的方法的俯视图。

图10A至10F为根据本公开的一或多个实施例的形成加宽导线和阶梯式结构的横截面图。

图11A至11E为根据本公开的一或多个实施例的形成加宽导线和阶梯式结构的方法的另一横截面图。

图12为根据本公开的多个实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。

具体实施方式

本公开的实施例描述用于半导体装置的加宽导线结构和阶梯式结构。半导体存储器装置可包含竖直堆叠，每一竖直堆叠包含半导体和介电材料的层。导线可形成于一或多个介电材料层内。

在一些例子中，形成一或多个导线接触件以将竖直堆叠的一个层面的导线连接到感测放大器或其它电路系统(例如，字线驱动器)可为有用的。然而，这需要大量精度、时间和资源，因为导线接触件必须与具有相对较小宽度的导线接触，从而留下极小的误差容限。