[发明专利]用于选择性金属化合物移除的系统及方法在审
| 申请号： | 202180032660.6 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115485819A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 崔振江;王安川 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例性的蚀刻方法可包括使含氟前驱物及含氢前驱物流至半导体处理腔室的远程等离子体区域中。可使含氢前驱物以相对于含氟前驱物的流动速率至少2:1的流动速率流动。方法可包括形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体以产生等离子体流出物。方法可包括使等离子体流出物流至容纳基板的基板处理区域中。基板可包括钽或钛材料的暴露区域及含硅材料或金属的暴露区域。方法可包括用等离子体流出物接触基板。方法可包括相对于含硅材料或金属选择性移除钽或钛材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 金属 化合物 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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