[发明专利]用于选择性金属化合物移除的系统及方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其包含以下步骤：

使含氟前驱物及含氢前驱物流至半导体处理腔室的远程等离子体区域中，其中使所述含氢前驱物以相对于所述含氟前驱物的流动速率至少2:1的流动速率流动；

形成所述含氟前驱物及所述含氢前驱物的等离子体以产生等离子体流出物；

使所述等离子体流出物流至容纳基板的基板处理区域中，其中所述基板包含钽或钛材料的暴露区域及含硅材料或金属的暴露区域；

用所述等离子体流出物接触所述基板；及

相对于所述含硅材料或所述金属选择性移除所述钽或钛材料。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述钽或钛材料包含钽或钛金属或钽或钛的氧化物或氮化物。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述金属包含钨、钴或铜。

4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中将等离子体功率维持在小于或约1,000W。

5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在高于或约150℃的温度下执行所述蚀刻方法。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在低于或约10Torr的压力下执行所述蚀刻方法。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，进一步包含：

在使所述含氟前驱物流动之前执行的预处理，其中所述预处理包含：用包含氧、氢、水蒸汽或氮中的一者或多者的等离子体接触所述基板。

8.如权利要求1所述的蚀刻方法，进一步包含：

在所述蚀刻方法之后执行的后处理，其中所述后处理包含：用包含氢、氮、氧或水蒸汽中的一者或多者的等离子体接触所述基板。

9.如权利要求1所述的蚀刻方法，进一步包含：

自所述半导体处理腔室移除所述基板，且

自所述半导体处理腔室的腔室壁移除残留物。

10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其中移除所述残留物包含：

提供含氯前驱物或等离子体流出物或者含溴前驱物或等离子体流出物。

11.一种蚀刻方法，其包含以下步骤：

形成包含氧、氢或氮中的一者或多者的处理前驱物的等离子体，以产生处理等离子体流出物；

使所述处理等离子体流出物流至半导体处理腔室的基板处理区域中；

用所述处理等离子体流出物接触所述基板处理区域中容纳的基板，其中所述基板界定钽或钛材料的暴露区域及钨、钴或铜的暴露区域；

自所述钽或钛材料的表面移除含碳材料；

形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体；

用等离子体流出物接触所述基板；及

移除所述钽或钛材料。

12.如权利要求11所述的蚀刻方法，其中使所述含氢前驱物相对于所述含氟前驱物以大于或约2:1的速率流动。

13.如权利要求11所述的蚀刻方法，其中将形成所述含氟前驱物的等离子体期间的等离子体功率维持在小于或约1,000W。

14.如权利要求11所述的蚀刻方法，其中在高于或约300℃的温度下执行所述蚀刻方法。

15.如权利要求11所述的蚀刻方法，其中在低于或约10Torr的压力下执行所述蚀刻方法。

16.如权利要求11所述的蚀刻方法，进一步包含：在所述蚀刻方法之后执行的后处理，其中所述后处理包含：用包含氢的等离子体接触所述基板。

17.如权利要求11所述的蚀刻方法，进一步包含：

自所述半导体处理腔室移除所述基板，及

自所述半导体处理腔室的腔室壁移除残留物。