[发明专利]金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶在审
| 申请号： | 202180032239.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115485818A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 若井雅文;半那拓;中台保夫;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/786;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体和金属布线结构体的制造方法。为了实现上述目的，金属布线结构体具有：金属布线膜，其具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素；以及第一覆盖层，其层叠在上述金属布线膜。如果是这种金属布线结构体，则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 布线 结构 制造 方法 溅射 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
