[发明专利]金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶在审
| 申请号： | 202180032239.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115485818A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 若井雅文;半那拓;中台保夫;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/786;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 布线 结构 制造 方法 溅射 | ||
1.一种金属布线结构体，其具有：
金属布线膜，其具有由铝构成的主成分和添加在所述主成分中的包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素；以及
第一覆盖层，其层叠在所述金属布线膜。
2.根据权利要求1所述的金属布线结构体，其中，
作为所述添加元素，还具有0.01at％以上且0.05at％以下的钒。
3.根据权利要求2所述的金属布线结构体，其中，
所述金属布线结构体由所述主成分、所述添加元素以及不可避免的成分构成。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的金属布线结构体，其中，
在所述金属布线膜的与所述第一覆盖层相反的一侧设置有第二覆盖层，所述金属布线膜设置在所述第一覆盖层与所述第二覆盖层之间。
5.一种金属布线结构体的制造方法，包括：
在基板形成金属布线膜，所述金属布线膜具有由铝构成的主成分和添加在所述主成分中的包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素；
在所述金属布线膜层叠第一覆盖层；以及
在500℃以下对所述金属布线膜进行加热处理。
6.根据权利要求5所述的金属布线结构体的制造方法，其中，
在所述金属布线膜的与所述第一覆盖层相反的一侧形成第二覆盖层，将所述金属布线膜配置在所述第一覆盖层与所述第二覆盖层之间。
7.一种溅射靶，其具有：
由铝构成的主成分；和
包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素，其被添加在所述主成分中。
8.根据权利要求7所述的溅射靶，其中，
作为所述添加元素，还具有0.01at％以上且0.05at％以下的钒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
