[发明专利]金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶在审
| 申请号: | 202180032239.5 | 申请日: | 2021-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN115485818A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 若井雅文;半那拓;中台保夫;中村亮太 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/786;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;刘继富 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 布线 结构 制造 方法 溅射 | ||
本发明提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体和金属布线结构体的制造方法。为了实现上述目的,金属布线结构体具有:金属布线膜,其具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at%以上且0.88at%以下的铁的添加元素;以及第一覆盖层,其层叠在上述金属布线膜。如果是这种金属布线结构体,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
技术领域
本发明涉及金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶。
背景技术
在液晶显示元件、有机EL显示元件等薄膜晶体管(TFT)中,有时使用例如Al那样的低电阻金属作为布线材料。
然而,对于栅电极,由于在制造工序的中途形成,因此在形成栅电极后受到由退火处理产生的热历史。因此,作为栅电极的材料,大多使用具有能够耐受热历史的耐热性的高熔点金属(例如Mo)(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-156482号公报。
发明内容
发明要解决的问题
然而,在将Mo这样的高熔点金属作为电极材料而应用到具有曲面形状的屏幕的显示器或者能够折弯的可折叠显示器的曲面部的情况下,由于高熔点金属不具有充分的抗弯曲性,所以电极可能因弯曲而断裂。
而且,Mo这样的高熔点金属与Al这样的低电阻金属相比,电阻率高。因此,随着显示器的尺寸的增大,有可能导致显示器的显示延迟。
鉴于如上述这样的情况,本发明的目的在于提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的,本发明的一个方式的金属布线结构体具有:金属布线膜,其具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at%以上且0.88at%以下的铁的添加元素;以及第一覆盖层,其层叠在上述金属布线膜。
如果是这样的金属布线结构体,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
在上述的金属布线结构体中,作为上述添加元素,还可以具有0.01at%以上且0.05at%以下的钒。
如果是这样的金属布线结构体,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
在上述的金属布线结构体中,可以由上述主成分、上述添加元素以及不可避免的成分构成。
如果是这样的金属布线结构体,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
在上述的金属布线结构体中,可以在上述金属布线膜的与上述第一覆盖层相反的一侧设置有第二覆盖层,上述金属布线膜设置在上述第一覆盖层与上述第二覆盖层之间。
如果是这样的金属布线结构体,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
为了实现上述目的,本发明的一个方式的金属布线结构体的制造方法包括:在基板形成金属布线膜,该金属布线膜具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at%以上且0.88at%以下的铁的添加元素;在上述金属布线膜层叠第一覆盖层;以及在500℃以下对上述金属布线膜进行加热处理。
如果是这样的金属布线结构体的制造方法,则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
在上述的金属布线结构体的制造方法中,可以在上述金属布线膜的与上述第一覆盖层相反的一侧形成第二覆盖层,上述金属布线膜配置在上述第一覆盖层与上述第二覆盖层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





