[发明专利]用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置在审
| 申请号： | 202180031440.1 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN115461852A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | T·施泰特纳;W·埃德迈尔;K·利希滕埃格;H·黑希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458;C30B25/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置。该方法包括：在沉积设备中布置衬底晶片和基座，使得该衬底晶片搁置在该基座上并且该基座由支撑轴的臂保持；监测是否存在该基座关于其相对于围绕该基座的预热环位置的位置的未对准；监测是否存在该支撑轴关于其相对于该预热环位置的位置的未对准；如果出现该未对准中的至少一种，则消除相应的该未对准；以及在该衬底晶片上沉积该外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体材料 制成 衬底 晶片 沉积 外延 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
