[发明专利]用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置

权利要求书

1.一种用于在半导体材料的衬底晶片上沉积外延层的方法，其特征在于，该方法包括：在沉积设备中布置衬底晶片和基座，使得该衬底晶片搁置在该基座上并且该基座由支撑轴的臂保持；监测是否存在该基座关于其相对于围绕该基座的预热环位置的位置的未对准；监测是否存在该支撑轴关于其相对于该预热环位置的位置的未对准；如果出现该未对准中的至少一种，则消除相应的该未对准；以及在该衬底晶片上沉积该外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过将该支撑轴移动到规定位置来纠正该支撑轴的未对准。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该支撑轴在不小于450℃的温度下移动。

4.一种用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的装置，其特征在于，该装置包括：基座；预热环；带有基座支撑臂的支撑轴；摄像机系统，用于监测该基座与该预热环之间的一部分间隙的宽度以及从该摄像机系统到该基座的距离；图像处理设备，用于确定存在该基座关于其相对于预热环位置的位置的未对准和/或存在该支撑轴关于其相对于预热环位置的位置的未对准；驱动单元，用于移动和倾斜基座支撑轴；和控制设备，用于在未对准的情况下产生信号，其中该信号使该驱动单元以纠正存在的该未对准的方式移动。