[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202180007468.1 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114846622A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 三塚要;唐本祐树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的虚设沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与虚设沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的靠虚设沟槽部侧的下端的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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